یکی از متداول ترین ساختار ماسفت پر توان، ماسفت با نفوذ دو گانه DMOS است. این ماسفت روی یک زیر لایه نوع n با آلایش کم ساخته شده است که زیر آن یک ناحیه با آلایش زیاد برای اتصال درین وجود دارد. دو فرایند نفوذ به کار می رود. یکی برای تشکیل ناحیه P بدنه و یکی برای تشکیل ناحیه N سورس. ترانزیستور DMOS بدین صورت کار می کند که با اعمال یک ولتاژ آستانه Vt به گیت جریان توسط الکترونها حمل می شود و پس از گذشتن از کانال کوتاه به زیر لایه آمده، بصورت عمودی به درین می رود.
این فرایند خلاف چیزی است که در ماسفت های کوچک – سیگنال اتفاق می افتد، زیرا در آنها جریان به صورت جانبی عبور می کند. این نوع ترانزیستور ها به رغم داشتن کانال کوتاه، ولتاژ شکست بسیار بزرگی دارند تا 600V زیرا ناحیه تهی زیر لایه و بدنه عمدتاً در زیر لایه کم آلایش قرار دارد و در کانال وارد نمی شود. به این ترتیب می توان ماسفتی داشت که هم توانایی جریاندهی بزرگ داشته باشد حدود 50A و هم ممکن است ولتاژ شکست بزرگی داشته باشند.
سایت آموزش الکنرونیک